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SI8472DB-T2-E1

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SI8472DB-T2-E1
Descripción: MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 4-UFBGA
Vgs(th) (Max) - Id 900mV @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 44mOhm @ 1.5A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 780mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 4-Micro Foot (1x1)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 18nC @ 8V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 630pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC -
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V

En stock 1392 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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