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SI8445DB-T2-E1

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SI8445DB-T2-E1
Descripción: MOSFET P-CH 20V 9.8A MICROFOOT
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±5V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 4-XFBGA, CSPBGA
Vgs(th) (Max) - Id 850mV @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 84mOhm @ 1A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 1.8W (Ta), 11.4W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 4-Microfoot
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 16nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 700pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 9.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V

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