La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

SI8441DB-T2-E1

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	SI8441DB-T2-E1
Descripción:	MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	TrenchFET®
Tipo FET	P-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±5V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	6-UFBGA
Vgs(th) (Max) - Id	700mV @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	80mOhm @ 1A, 4.5V
Disipación de energía (máx.)	2.77W (Ta), 13W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	6-Micro Foot™ (1.5x1)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	13nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	600pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	10.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V