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SI8416DB-T2-E1

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SI8416DB-T2-E1
Descripción: MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±5V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-UFBGA
Vgs(th) (Max) - Id 800mV @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 23mOhm @ 1.5A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 26nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1470pF @ 4V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 16A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V

En stock 2990 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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