SI7900AEDN-T1-E3
Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | SI7900AEDN-T1-E3 |
Descripción: | MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Empaquetado | Cut Tape (CT) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Estado de la pieza | Active |
Potencia - Máx. | 1.5W |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Número de pieza base | SI7900 |
Vgs(th) (Max) - Id | 900mV @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 26mOhm @ 8.5A, 4.5V |
Paquete de dispositivos de proveedores | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 16nC @ 4.5V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | - |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 6A |
En stock 92547 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.49 | $1.46 | $1.43 |
Mínimo: 1