Image is for reference only , details as Specifications

SI7820DN-T1-E3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SI7820DN-T1-E3
Descripción: MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 240mOhm @ 2.6A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.5W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores PowerPAK® 1212-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 18nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 200V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

En stock 103 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

PSMN7R6-60BS,118
Nexperia USA Inc.
$0
FDPF7N60NZ
ON Semiconductor
$1.4
TPH1R403NL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
SIR632DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
$0
STD38NH02LT4
STMicroelectronics
$1.36