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SI7792DP-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	SI7792DP-T1-GE3
Descripción:	MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	SkyFET®, TrenchFET® Gen III
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	Schottky Diode (Body)
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) - Id	2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	2.1mOhm @ 20A, 10V
Disipación de energía (máx.)	6.25W (Ta), 104W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	PowerPAK® SO-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	135nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	4.735nF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	40.6A (Ta), 60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V