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SI7413DN-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SI7413DN-T1-GE3
Descripción: MOSFET P-CH 20V 8.4A PPAK 1212-8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 400µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 15mOhm @ 13.2A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 1.5W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores PowerPAK® 1212-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 51nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 8.4A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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