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SI7403BDN-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SI7403BDN-T1-GE3
Descripción: MOSFET P-CH 20V 8A 1212-8 PPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 74mOhm @ 5.1A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 3.1W (Ta), 9.6W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PowerPAK® 1212-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 15nC @ 8V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 430pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

En stock 65 pcs

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