La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

SI7315DN-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SI7315DN-T1-GE3
Descripción: MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -50°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 315mOhm @ 2.4A, 10V
Disipación de energía (máx.) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PowerPAK® 1212-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 30nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 150V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 880pF @ 75V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 8.9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V

En stock 8576 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

PSMN2R6-40YS,115
Nexperia USA Inc.
$0
IRF7815TRPBF
Infineon Technologies
$0
IPD80R1K4CEATMA1
Infineon Technologies
$0
PSMN1R2-25YLC,115
Nexperia USA Inc.
$0
PSMN050-80BS,118
Nexperia USA Inc.
$0