La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

SI7108DN-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SI7108DN-T1-GE3
Descripción: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±16V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 4.9mOhm @ 22A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.5W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores PowerPAK® 1212-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 30nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 14A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 3000 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

SI4630DY-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
RSH070P05TB1
ROHM Semiconductor
$0
BSO301SPHXUMA1
Infineon Technologies
$0
FDU3N40TU
ON Semiconductor
$0.71
SPD15P10PGBTMA1
Infineon Technologies
$0