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SI6968BEDQ-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SI6968BEDQ-T1-GE3
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 1W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Número de pieza base SI6968
Vgs(th) (Max) - Id 1.6V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-TSSOP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 18nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 5.2A

En stock 72 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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