Image is for reference only , details as Specifications

SI6913DQ-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SI6913DQ-T1-GE3
Descripción: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 830mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Número de pieza base SI6913
Vgs(th) (Max) - Id 900mV @ 400µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 21mOhm @ 5.8A, 4.5V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-TSSOP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 28nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4.9A

En stock 35592 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IPG20N10S4L35ATMA1
Infineon Technologies
$0
FDS9958
ON Semiconductor
$0
ZXMHC3A01N8TC
Diodes Incorporated
$0
NE68730-T1
CEL
$0.61
BFU630F,115
NXP USA Inc.
$0