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SI5913DC-T1-E3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SI5913DC-T1-E3
Descripción: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie LITTLE FOOT®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±12V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Schottky Diode (Isolated)
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SMD, Flat Lead
Vgs(th) (Max) - Id 1.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 84mOhm @ 3.7A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.7W (Ta), 3.1W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 1206-8 ChipFET™
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 12nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 330pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V

En stock 57 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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