Image is for reference only , details as Specifications

SI5855CDC-T1-E3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	SI5855CDC-T1-E3
Descripción:	MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	LITTLE FOOT®
Tipo FET	P-Channel
Empaquetado	Digi-Reel®
Vgs (máx.)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	Schottky Diode (Isolated)
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-SMD, Flat Lead
Vgs(th) (Max) - Id	1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	144mOhm @ 2.5A, 4.5V
Disipación de energía (máx.)	1.3W (Ta), 2.8W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	1206-8 ChipFET™
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	6.8nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	276pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	3.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V