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SI5853DDC-T1-E3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	SI5853DDC-T1-E3
Descripción:	MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	LITTLE FOOT®
Tipo FET	P-Channel
Empaquetado	Digi-Reel®
Vgs (máx.)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	Schottky Diode (Isolated)
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-SMD, Flat Lead
Vgs(th) (Max) - Id	1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	105mOhm @ 2.9A, 4.5V
Disipación de energía (máx.)	1.3W (Ta), 3.1W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	1206-8 ChipFET™
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	12nC @ 8V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	320pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V