SI5519DU-T1-GE3
Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | SI5519DU-T1-GE3 |
Descripción: | MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETs |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | N and P-Channel |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Característica FET | Standard |
Estado de la pieza | Obsolete |
Potencia - Máx. | 10.4W |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
Número de pieza base | SI5519 |
Vgs(th) (Max) - Id | 1.8V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 36mOhm @ 6.1A, 4.5V |
Paquete de dispositivos de proveedores | PowerPAK® ChipFet Dual |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 17.5nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 660pF @ 10V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 6A |
En stock 82 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1