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SI5519DU-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SI5519DU-T1-GE3
Descripción: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETs
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
Tipo FET N and P-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Característica FET Standard
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 10.4W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® ChipFET™ Dual
Número de pieza base SI5519
Vgs(th) (Max) - Id 1.8V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 36mOhm @ 6.1A, 4.5V
Paquete de dispositivos de proveedores PowerPAK® ChipFet Dual
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 17.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 660pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 6A

En stock 82 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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