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SI5517DU-T1-GE3
| Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Ficha técnica: | SI5517DU-T1-GE3 |
| Descripción: | MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Vishay / Siliconix |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 8.3W |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Número de pieza base | SI5517 |
| Vgs(th) (Max) - Id | 1V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 39mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | PowerPAK® ChipFet Dual |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 16nC @ 8V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 520pF @ 10V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 6A |
En stock 2034 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.16 | $1.14 | $1.11 |
Mínimo: 1
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