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SI5435BDC-T1-E3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SI5435BDC-T1-E3
Descripción: MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SMD, Flat Lead
Vgs(th) (Max) - Id 3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 45mOhm @ 4.3A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.3W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 1206-8 ChipFET™
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 24nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 92 pcs

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