Image is for reference only , details as Specifications

SI5414DC-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SI5414DC-T1-GE3
Descripción: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±12V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SMD, Flat Lead
Vgs(th) (Max) - Id 1.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 17mOhm @ 9.9A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 1206-8 ChipFET™
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 41nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1500pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

En stock 52 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.28 $0.27 $0.27
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

ZVN4206ASTZ
Diodes Incorporated
$0.28
DMT68M8LFV-7
Diodes Incorporated
$0.27
DMT68M8LFV-13
Diodes Incorporated
$0.27
AOI538
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0.27
BSC440N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
$0