La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

SI5402DC-T1-E3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SI5402DC-T1-E3
Descripción: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SMD, Flat Lead
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 250µA (Min)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 35mOhm @ 4.9A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.3W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 1206-8 ChipFET™
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 20nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4.9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 52 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

SI5401DC-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI4892DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI4892DY-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
SI4890DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI4890BDY-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0