SI4952DY-T1-GE3
Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
---|---|
Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | SI4952DY-T1-GE3 |
Descripción: | MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
---|---|
Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Estado de la pieza | Obsolete |
Potencia - Máx. | 2.8W |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Número de pieza base | SI4952 |
Vgs(th) (Max) - Id | 2.2V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 23mOhm @ 7A, 10V |
Paquete de dispositivos de proveedores | 8-SO |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 18nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 25V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 680pF @ 13V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 8A |
En stock 73 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1