La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

SI4946CDY-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SI4946CDY-T1-GE3
Descripción: MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Standard
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 2W (Ta), 2.8W (Tc)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 40.9mOhm @ 5.2A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SO
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 10nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 350pF @ 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 5.2A (Ta), 6.1A (Tc)

En stock 2737 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

BUK9K134-100EX
Nexperia USA Inc.
$0
FDS6982AS
ON Semiconductor
$0
IRF7101TRPBF
Infineon Technologies
$0
DMC4050SSDQ-13
Diodes Incorporated
$0
SI4599DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0