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SI4914BDY-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SI4914BDY-T1-GE3
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie LITTLE FOOT®
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Standard
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 2.7W, 3.1W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de pieza base SI4914
Vgs(th) (Max) - Id 2.7V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 21mOhm @ 8A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SO
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 10.5nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 8.4A, 8A

En stock 89 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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