SI4862DY-T1-GE3
Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | SI4862DY-T1-GE3 |
Descripción: | MOSFET N-CH 16V 17A 8-SOIC |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Vgs (máx.) | ±8V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Vgs(th) (Max) - Id | 600mV @ 250µA (Min) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 3.3mOhm @ 25A, 4.5V |
Disipación de energía (máx.) | 1.6W (Ta) |
Paquete de dispositivos de proveedores | 8-SO |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 70nC @ 4.5V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 16V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 17A (Ta) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
En stock 82 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1