Image is for reference only , details as Specifications

SI4829DY-T1-E3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	SI4829DY-T1-E3
Descripción:	MOSFET P-CH 20V 2A 8-SOIC
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	LITTLE FOOT®
Tipo FET	P-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	Schottky Diode (Isolated)
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id	1.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	215mOhm @ 2.5A, 4.5V
Disipación de energía (máx.)	2W (Ta), 3.1W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	8-SO
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	8nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	210pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V