Image is for reference only , details as Specifications

SI4778DY-T1-E3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	SI4778DY-T1-E3
Descripción:	MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	TrenchFET®
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Digi-Reel®
Vgs (máx.)	±16V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id	2.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	23mOhm @ 7A, 10V
Disipación de energía (máx.)	2.4W (Ta), 5W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	8-SO
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	18nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	680pF @ 13V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V