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SI4668DY-T1-GE3
| Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | SI4668DY-T1-GE3 |
| Descripción: | MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Vishay / Siliconix |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (máx.) | ±16V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2.6V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 10.5mOhm @ 15A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 2.5W (Ta), 5W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 8-SO |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 42nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 25V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1654pF @ 15V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 16.2A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
En stock 83 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.48 | $0.47 | $0.46 |
Mínimo: 1
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