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SI4477DY-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	SI4477DY-T1-GE3
Descripción:	MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	TrenchFET®
Tipo FET	P-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id	1.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	6.2mOhm @ 18A, 4.5V
Disipación de energía (máx.)	3W (Ta), 6.6W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	8-SO
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	190nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	4600pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	26.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V