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SI4465ADY-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SI4465ADY-T1-GE3
Descripción: MOSFET P-CH 8V 8SOIC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 9mOhm @ 14A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SO
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 85nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 8V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC -
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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