La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

SI4447DY-T1-E3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SI4447DY-T1-E3
Descripción: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±16V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 2.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 72mOhm @ 4.5A, 15V
Disipación de energía (máx.) 1.1W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SO
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 14nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 805pF @ 20V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 3.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 10V

En stock 14716 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

DMT3006LFG-7
Diodes Incorporated
$0
RS3E075ATTB
ROHM Semiconductor
$0
BSP225,115
Nexperia USA Inc.
$0
TPH8R903NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
FDFMA2N028Z
ON Semiconductor
$0