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SI4410BDY-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SI4410BDY-T1-GE3
Descripción: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 13.5mOhm @ 10A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.4W (Ta)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 20nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 7.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 58 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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