La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

SI4346DY-T1-E3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SI4346DY-T1-E3
Descripción: MOSFET N-CH 30V 5.9A 8-SOIC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±12V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 23mOhm @ 8A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.31W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SO
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 10nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 5.9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V

En stock 839 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.72 $0.71 $0.69
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

FQD7N20LTM
ON Semiconductor
$0
TPH11006NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
NVTFS5C478NLWFTAG
ON Semiconductor
$0
IPB042N03LGATMA1
Infineon Technologies
$0
IRF540ZSTRLPBF
Infineon Technologies
$0