La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
SI3911DV-T1-E3
| Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Ficha técnica: | SI3911DV-T1-E3 |
| Descripción: | MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Vishay / Siliconix |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Empaquetado | Digi-Reel® |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Potencia - Máx. | 830mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Número de pieza base | SI3911 |
| Vgs(th) (Max) - Id | 450mV @ 250µA (Min) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 145mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 6-TSOP |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | - |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 1.8A |
En stock 85 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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