SI3499DV-T1-GE3
Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | SI3499DV-T1-GE3 |
Descripción: | MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | P-Channel |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Vgs (máx.) | ±5V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Vgs(th) (Max) - Id | 750mV @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 23mOhm @ 7A, 4.5V |
Disipación de energía (máx.) | 1.1W (Ta) |
Paquete de dispositivos de proveedores | 6-TSOP |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 42nC @ 4.5V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 8V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 5.3A (Ta) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
En stock 12668 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1