La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

SI3483DDV-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	SI3483DDV-T1-GE3
Descripción:	P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET TSOP
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	TrenchFET® Gen IV
Tipo FET	P-Channel
Empaquetado	Cut Tape (CT)
Vgs (máx.)	+16V, -20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) - Id	2.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	31.2mOhm @ 5A, 10V
Disipación de energía (máx.)	2W (Ta), 3W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	6-TSOP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	14.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	580pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	6.4A (Ta), 8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V