La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

SI2392DS-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SI2392DS-T1-GE3
Descripción: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) - Id 3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 126mOhm @ 2A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-23
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 10.4nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 196pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 3.1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 58 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

UPA2821T1L-E1-AT
Renesas Electronics America
$0
UPA2813T1L-E2-AT
Renesas Electronics America
$0
UPA2812T1L-E2-AT
Renesas Electronics America
$0
RJL6018DPK-00#T0
Renesas Electronics America
$0
RJL6013DPE-00#J3
Renesas Electronics America
$0