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SI2365EDS-T1-GE3
| Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | SI2365EDS-T1-GE3 |
| Descripción: | MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236 |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Vishay / Siliconix |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | P-Channel |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (máx.) | ±8V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Vgs(th) (Max) - Id | 1V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 32mOhm @ 4A, 4.5V |
| Disipación de energía (máx.) | 1W (Ta), 1.7W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | TO-236 |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 36nC @ 8V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 5.9A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
En stock 33000 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.09 | $0.09 | $0.09 |
Mínimo: 1
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