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SI2365EDS-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	SI2365EDS-T1-GE3
Descripción:	MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	TrenchFET®
Tipo FET	P-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) - Id	1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	32mOhm @ 4A, 4.5V
Disipación de energía (máx.)	1W (Ta), 1.7W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-236
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	36nC @ 8V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	5.9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V