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SI2351DS-T1-E3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SI2351DS-T1-E3
Descripción: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±12V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) - Id 1.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 115mOhm @ 2.4A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 1W (Ta), 2.1W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-23-3 (TO-236)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 5.1nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 250pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 2.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

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