SI2321DS-T1-E3
Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | SI2321DS-T1-E3 |
Descripción: | MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | P-Channel |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Vgs (máx.) | ±8V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Vgs(th) (Max) - Id | 900mV @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 57mOhm @ 3.3A, 4.5V |
Disipación de energía (máx.) | 710mW (Ta) |
Paquete de dispositivos de proveedores | SOT-23-3 (TO-236) |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 13nC @ 4.5V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 715pF @ 6V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 2.9A (Ta) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
En stock 60 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1