La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
SI2319DS-T1-GE3
| Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | SI2319DS-T1-GE3 |
| Descripción: | MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3 |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Vishay / Siliconix |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | P-Channel |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Vgs(th) (Max) - Id | 3V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 82mOhm @ 3A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 750mW (Ta) |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 17nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 40V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 470pF @ 20V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 2.3A (Ta) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 1500 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.73 | $0.72 | $0.70 |
Mínimo: 1
Solicitar presupuesto
Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible
Bargain Finds
