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SI2315BDS-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SI2315BDS-T1-GE3
Descripción: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) - Id 900mV @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 750mW (Ta)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 15nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 715pF @ 6V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V

En stock 10193 pcs

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