La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

SI2302ADS-T1

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SI2302ADS-T1
Descripción: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) - Id 1.2V @ 50µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 700mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-23-3 (TO-236)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 10nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 300pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 2.1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

En stock 62 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

SI2343DS-T1
Vishay / Siliconix
$0
SI2303BDS-T1
Vishay / Siliconix
$0
SI7860ADP-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
IPD600N25N3GBTMA1
Infineon Technologies
$0
IPD320N20N3GBTMA1
Infineon Technologies
$0