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SI1912EDH-T1-E3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SI1912EDH-T1-E3
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 570mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Número de pieza base SI1912
Vgs(th) (Max) - Id 450mV @ 100µA (Min)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 280mOhm @ 1.13A, 4.5V
Paquete de dispositivos de proveedores SC-70-6 (SOT-363)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 1nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.13A

En stock 64 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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