SI1912EDH-T1-E3
Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | SI1912EDH-T1-E3 |
Descripción: | MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Característica FET | Logic Level Gate |
Estado de la pieza | Obsolete |
Potencia - Máx. | 570mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Número de pieza base | SI1912 |
Vgs(th) (Max) - Id | 450mV @ 100µA (Min) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 280mOhm @ 1.13A, 4.5V |
Paquete de dispositivos de proveedores | SC-70-6 (SOT-363) |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 1nC @ 4.5V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | - |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 1.13A |
En stock 64 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1