La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
SI1905BDH-T1-E3
| Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Ficha técnica: | SI1905BDH-T1-E3 |
| Descripción: | MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6 |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Vishay / Siliconix |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Potencia - Máx. | 357mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Número de pieza base | SI1905 |
| Vgs(th) (Max) - Id | 1V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 542mOhm @ 580mA, 4.5V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | SC-70-6 (SOT-363) |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 8V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 62pF @ 4V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 630mA |
En stock 70 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
Solicitar presupuesto
Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible
Bargain Finds
