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SI1427EDH-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SI1427EDH-T1-GE3
Descripción: MOSFET P-CH 20V 2A SOT-363
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 64mOhm @ 3A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores SC-70-6 (SOT-363)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 21nC @ 8V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V

En stock 2510 pcs

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