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SI1406DH-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SI1406DH-T1-GE3
Descripción: MOSFET N-CH 20V 3.1A SC-70-6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (Max) - Id 1.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 65mOhm @ 3.9A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 1W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores SC-70-6 (SOT-363)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 7.5nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 3.1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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