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SI1405BDH-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SI1405BDH-T1-GE3
Descripción: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (Max) - Id 950mV @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 1.47W (Ta), 2.27W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores SC-70-6 (SOT-363)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 5.5nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 305pF @ 4V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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