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SI1404BDH-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	SI1404BDH-T1-GE3
Descripción:	MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	TrenchFET®
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (Max) - Id	1.3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	238mOhm @ 1.9A, 4.5V
Disipación de energía (máx.)	1.32W (Ta), 2.28W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	SC-70-6 (SOT-363)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	2.7nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	100pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	1.9A (Ta), 2.37A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V