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IRLI640G

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRLI640G
Descripción: MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 180mOhm @ 5.9A, 5V
Disipación de energía (máx.) 40W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 66nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1800pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 9.9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V

En stock 71 pcs

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